TSMC, 2030 yılından itibaren High-NA EUV litografi sistemlerini yüksek hacimli üretim süreçlerine dahil etmeyi planlıyor. Şirket, 2031'de 6x12 inç fotomask kullanan bir pilot hat kurmayı, 2033'te ise bu sistemi gelişmiş düğüm üretimlerine tam olarak entegre etmeyi hedefliyor. Yeni nesil High-NA EUV araçları, mevcut Low-NA sistemlerin 13nm'lik çözünürlüğüne kıyasla 8nm'lik tek pozlama çözünürlüğü sunuyor. A10 veya A11 üretim teknolojilerinin, bu yeni litografi sistemini kullanan ilk adaylar olması bekleniyor.
- TSMC, 2030 yılından itibaren High-NA EUV litografi sistemlerini yüksek hacimli üretim süreçlerine dahil etmeyi planlıyor.
- Şirket, 2031’de 6×12 inç fotomask kullanan bir pilot hat kurmayı, 2033’te ise bu sistemi gelişmiş düğüm üretimlerine tam olarak entegre etmeyi hedefliyor.
- Yeni nesil High-NA EUV araçları, mevcut Low-NA sistemlerin 13nm’lik çözünürlüğüne kıyasla 8nm’lik tek pozlama çözünürlüğü sunuyor.
- A10 veya A11 üretim teknolojilerinin, bu yeni litografi sistemini kullanan ilk adaylar olması bekleniyor.
Yıllardır High-NA EUV (yüksek sayısal açıklıklı aşırı morötesi) litografi sistemlerine geçiş konusunda sessizliğini koruyan TSMC, stratejisini güncelledi. Şirket, 400 milyon dolar değerindeki bu gelişmiş tarayıcıları 2030 yılından itibaren üretim süreçlerinde kullanmaya başlayacağını resmen duyurdu. Bu hamle, mevcut Low-NA EUV sistemlerinin kapasite sınırlarına yaklaşıldığının bir göstergesi olarak değerlendiriliyor.
Üretim Sürecinde Yeni Bir Dönem
TSMC, High-NA EUV teknolojisini ilk olarak geleneksel 6×6 inçlik fotomasklarla kullanmayı planlıyor. Ancak bu sistemlerin mevcut Low-NA araçlarına göre yarı yarıya daha küçük bir pozlama alanı sunması, büyük boyutlu çiplerin üretimi için yeni zorluklar yaratıyor. Bu kısıtlamayı aşmak adına şirket, ASML ile iş birliği yaparak 6×12 inçlik fotomasklara geçiş için altyapı hazırlıklarını sürdürüyor.
Söz konusu fotomask değişikliği, sadece tarayıcıları değil; EDA yazılımlarından maske üretim araçlarına kadar tüm endüstriyel ekosistemin güncellenmesini gerektiriyor. ASML CEO’su Christophe Fouquet, bu geçişin Intel, TSMC ve Samsung gibi devlerin desteğiyle, daha küçük, hızlı ve enerji verimli çipler üretmek için kritik bir adım olduğunu vurguluyor.
A10 ve A11 Teknolojileri İçin Hazırlık
TSMC’nin yol haritasına göre, 2029 yılında çıkacak A12 ve A13 düğümleri geleneksel EUV teknolojisine dayanmaya devam edecek. Bu nedenle, 2030’da devreye girecek A10 veya A11 (1/1.1nm sınıfı) üretim teknolojileri, High-NA EUV sistemlerini kullanan ilk adaylar olarak öne çıkıyor.
Yeni nesil litografi araçlarının, özellikle karmaşık transistör mimarileri ve gate-all-around (GAA) transistörlerin daha gelişmiş uygulamaları için gerekli olan yüksek transistör yoğunluğunu sağlaması bekleniyor. Şirket, 2031 yılında 6×12 inçlik maskelerle bir pilot hat kurarak, 2033 yılına kadar bu teknolojiyi gelişmiş düğüm üretim süreçlerine tam kapasiteyle dahil etmeyi hedefliyor.
