Huawei Yeni Kirin 9050 PRO İşlemcisinin ABD Teknolojisinden Arındırıldığını İddia Ediyor

Huawei Yeni Kirin 9050 PRO İşlemcisinin ABD Teknolojisinden Arındırıldığını İddia Ediyor

Huawei, yeni Kirin 9050 PRO işlemcisinin tamamen Amerikan teknolojisinden bağımsız olduğunu duyurdu. Mate XT 2 modelinde kullanılan çip, LogicFolding adı verilen ve katmanlı bir yapı sunan yeni bir teknikle üretildi. Huawei, bu yeni mimari sayesinde %55 oranında yoğunluk artışı sağladığını öne sürüyor. Bağımsız doğrulama eksikliği sürerken, üretim sürecinde ASML tarayıcılar ve çeşitli yabancı ekipmanların kullanılmaya devam ettiği biliniyor.

  • Huawei, yeni Kirin 9050 PRO işlemcisinin tamamen Amerikan teknolojisinden bağımsız olduğunu duyurdu.
  • Mate XT 2 modelinde kullanılan çip, LogicFolding adı verilen ve katmanlı bir yapı sunan yeni bir teknikle üretildi.
  • Huawei, bu yeni mimari sayesinde %55 oranında yoğunluk artışı sağladığını öne sürüyor.
  • Bağımsız doğrulama eksikliği sürerken, üretim sürecinde ASML tarayıcılar ve çeşitli yabancı ekipmanların kullanılmaya devam ettiği biliniyor.

Huawei, yeni mobil işlemcisi Kirin 9050 PRO’yu tanıttı. Şirket, bu yeni nesil işlemcinin herhangi bir Amerikan teknolojisi veya bileşeni içermediğini iddia ediyor. 12 Eylül 2026 tarihinde Çin pazarında satışa sunulan Mate XT 2 modeline güç veren bu işlemci, Huawei’nin kendi ifadesiyle bugüne kadar geliştirdiği en güçlü Kirin çipi olarak konumlandırılıyor.

LogicFolding Teknolojisi ile Gelen Performans Artışı

Huawei’nin tüketici elektroniği grubu başkanı Richard Yu, Kirin 9050 PRO’nun bir önceki nesil olan Kirin 9020’ye kıyasla genel performansta %42’lik bir artış sunduğunu belirtti. İşlemci, dokuz çekirdekli LinxiCore CPU yapısıyla 3.1GHz hızına ulaşırken, Maleoon GPU birimi donanımsal ışın izleme desteği sağlıyor. Ayrıca Da Vinci NPU, cihaz üzerinde 30 milyar parametreli bir yapay zeka modelini çalıştırabiliyor.

Huawei, Kirin 9050 PRO, Mate XT 2, LogicFolding, SMIC

Bu performans artışının arkasındaki temel yenilik ise LogicFolding tekniği. Mayıs ayında IEEE ISCAS konferansında tanıtılan bu yöntem, transistörleri küçültmek yerine mantıksal birimleri iki aktif silikon katmanına bölerek yüz yüze birleştiriyor. Yaklaşık 1.5 mikrometre aralıklı 50 milyon dikey bağlantı kullanan bu yapı, sinyal yollarını kısaltarak daha düşük voltajda daha yüksek yoğunluk elde edilmesine olanak tanıyor.

Üretim Sürecindeki Soru İşaretleri

Huawei’nin iddiaları dikkat çekici olsa da, bu verilerin bağımsız bir kurum tarafından doğrulanmadığını belirtmek gerekiyor. Şirket, işlemcinin üretiminde kullanılan süreç düğümüne (process node) dair resmi bir açıklama yapmadı. Sektör analistleri, önceki nesil çiplerde SMIC’in 7nm N+3 sürecinin kullanıldığını ve bu süreçte ASML daldırmalı litografi tarayıcıları ile Applied Materials ve Lam Research gibi firmalardan temin edilen ekipmanların yer aldığını hatırlatıyor.

Huawei’nin ABD etkisinden tamamen kurtulma hedefi, uzun süredir devam eden bir stratejik mücadele olarak öne çıkıyor. Şirket, 2019 yılından bu yana cihazlarında Amerikan parçalarını azaltma konusunda önemli adımlar atsa da, üretim hattındaki yabancı ekipman bağımlılığı henüz tamamen ortadan kalkmış değil. Yine de Huawei’nin teknolojik performans farkını kapatma hızı, sektördeki beklentilerin üzerinde seyretmeye devam ediyor.

Bir yanıt yazın